Siliciumkarbid
kemisk forbindelse
Siliciumkarbid, også kaldt karborundum, carborundum, har den kemiske forkortelse SiC, som består af silicium og carbon.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/ac/Siliciumcarbid.jpg/220px-Siliciumcarbid.jpg)
Det er et industrielt fremstillet materiale, som anvendes til slibeprodukter og som tilsætningsstof. Materialet er noget af det hårdeste, som findes, med værdien 9,5 på Mohs hårdhedsskala; kun diamanter er hårdere med en Mohsværdi på 10.
Siliciumkarbid er i ren form farveløs, isolerende, ildfast og har halvlederegenskaber. Det har en række brugsområder som slibemiddel, inden for keramik- og støberivirksomhed.
Siliciumkarbid indgår i rumfærgens varmeskjold, og visse skivebremser er opbygget af materialet. I nyere tid er man begyndt at lave dioder (SiC-Schottky-diode) og transistorer af halvlederlegeringen.[1][2][3]
Kilder/referencer
redigér- ^ 25 August, 2004, BBC News: Door open for silicon replacement Citat: "...Previous research has already shown that even at red-hot temperatures as high as 650C (1,202F), silicon carbide devices can function unperturbed and without the need for cooling....One exciting application for silicon carbide could be in deep-space missions, where nuclear power would be needed for the craft. Radiation-hardened silicon carbide devices would reduce the shielding needed to protect reactor control electronics..."
- ^ 2001, purdue.edu: Lateral power MOSFETs in silicon carbide Citat: "...silicon carbide is considered to be the material of choice for power switching electronics in the future...we present the first lateral power devices on a semi-insulating vanadium doped substrate of silicon carbide. The first generation of lateral DMOSFETs in 4H-SiC yielded a blocking voltage of 2.6 kV..."
- ^ Oct 28, 2011, powerelectronics.com: SiC “Super” Junction Transistors Deliver High Temp Performance Arkiveret 23. december 2011 hos Wayback Machine Citat: "...GeneSiC’s SiC-based 1200 V/220 mΩ Super Junction Transistors (SJTs) feature high temperature (> 300 °C) operation capability, ultra-fast switching transitions (< 15 ns)...The leakage current in the SJT at VDS = 1200 V is below 5 µA up to temperatures as high as 225 °C. Leakage currents of < 100 µA were measured even at 325 °C..."
🔥 Top keywords: ForsideWikipedia:KildeangivelserThomas GravesenMorten HjulmandAlexander BahKasper HjulmandWikipedia:VerificerbarhedSerbienEM i fodbold (mænd)Danmarks fodboldlandsholdJosefine HøghSpeciel:SøgningFlemming PovlsenChristian EriksenWikipedia:Artikler med døde eksterne henvisningerJannik VestergaardTrine SchmidtKasper SchmeichelJulian AssangeDragan StojkovićGunnar "Nu" HansenAleksandar MitrovićAllianz ArenaMikkel BischoffPierre Emile HøjbjergPeter SchmeichelRasmus HøjlundAndreas Skov OlsenEuropamesterskabet i fodbold 2024 (mænd)Joachim Andersen (fodboldspiller)Lasse SjørslevThomas DelaneySpeciel:Seneste ændringerNicklas BendtnerDanmarks fodboldlandsholdsspillereVM i fodbold (mænd)DanmarkThe Minds of 99Kasper Dolberg